Memoria Para Notebook Kingston Valueram So-dimm 8GB 1600mhz Ddr3l Cl11 Kvr16ls11 8
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Sobre o produto
Resumo gerado por IA- Desempenho Aprimorado: Com 8GB e 1600MHz, acelere jogos, edição e multitarefas.
- Eficiência Energética: Opera a 1.35V, otimizando a bateria de notebooks e reduzindo o calor.
- Resposta Rápida: Latência CL11 garante fluidez e confiabilidade nas aplicações.
- Ampla Compatibilidade: Ideal para laptops e uma variedade de sistemas compactos.
R$ 499,00
À vista no PIX10x R$ 49,90 s/ juros
Em estoque
Sobre o produto
Resumo gerado por IA- Desempenho Aprimorado: Com 8GB e 1600MHz, acelere jogos, edição e multitarefas.
- Eficiência Energética: Opera a 1.35V, otimizando a bateria de notebooks e reduzindo o calor.
- Resposta Rápida: Latência CL11 garante fluidez e confiabilidade nas aplicações.
- Ampla Compatibilidade: Ideal para laptops e uma variedade de sistemas compactos.
Informações Técnicas
Garantia do Fornecedor
3 Meses
Peso:
200 gramas (bruto com embalagem)
Descrição do produto
Aumente o desempenho do seu dispositivo com a Memoria RAM Kingston 8GB DDR3L 1600MHz (KVR16LS11 8). Ideal para laptops e sistemas compactos, este modulo SODIMM possui uma capacidade total de 8 GB e opera em uma velocidade de transferencia de ate 1600 GT s.
Projetada para eficiencia energetica, a memoria funciona com uma voltagem de apenas 1.35 V, proporcionando um equilibrio perfeito entre potencia e desempenho. Com uma latencia CAS de CL11, a Kingston garante resposta rapida e confiabilidade em todas as suas aplicacoes.
Perfeita para multitarefas e atividades exigentes, essa solucao de memoria e compativel com uma variedade de sistemas, melhorando a experiencia em jogos, edicoes de video e navegacao. Invista na Kingston e leve seu equipamento ao proximo nivel de fluidez e eficacia.
Caracteristicas:
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR16LS11 8
Especificacoes Tecnicas:
Temperatura
- Temperatura de Operacao: 0oC a 85oC
- Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC
- Periodo medio de atualizacao 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 850C, 3.9us em 850C TCASE 950C
Energia
- Tensao padrao JEDEC: 1.
- Consumo de energia :2.376 W* UL
Latencia
- Latencia CAS Programavel:11, 10, 9, 8, 7, 6
- Latencia programavel adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock 8-bit pre-fetch
Geral
- CL(IDD): 11 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin): 48.125ns (min.)
- Refresh to Active Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin): 35ns (min.)
- Rating: 94 V - 0
- Burst Length: 8 (Interleave sem limitacao, apenas sequencial com endereco inicial 000), 4 com tCCD = 4 que nao permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
- Data Strobe Diferencial bi-direcional
- Auto Calibracao Interna: atraves do pino ZQ (RZQ: 240 ohm +/- 1%)
- Terminacao no Die usando o pino ODT
- Reset assincrono PCB: Altura 1.180 (30mm), com componentes de ambos os lados
Conteudo da Embalagem:
- Memoria RAM Para Notebook Kingston
Projetada para eficiencia energetica, a memoria funciona com uma voltagem de apenas 1.35 V, proporcionando um equilibrio perfeito entre potencia e desempenho. Com uma latencia CAS de CL11, a Kingston garante resposta rapida e confiabilidade em todas as suas aplicacoes.
Perfeita para multitarefas e atividades exigentes, essa solucao de memoria e compativel com uma variedade de sistemas, melhorando a experiencia em jogos, edicoes de video e navegacao. Invista na Kingston e leve seu equipamento ao proximo nivel de fluidez e eficacia.
Caracteristicas:
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR16LS11 8
Especificacoes Tecnicas:
Temperatura
- Temperatura de Operacao: 0oC a 85oC
- Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC
- Periodo medio de atualizacao 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 850C, 3.9us em 850C TCASE 950C
Energia
- Tensao padrao JEDEC: 1.
- Consumo de energia :2.376 W* UL
Latencia
- Latencia CAS Programavel:11, 10, 9, 8, 7, 6
- Latencia programavel adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock 8-bit pre-fetch
Geral
- CL(IDD): 11 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin): 48.125ns (min.)
- Refresh to Active Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin): 35ns (min.)
- Rating: 94 V - 0
- Burst Length: 8 (Interleave sem limitacao, apenas sequencial com endereco inicial 000), 4 com tCCD = 4 que nao permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
- Data Strobe Diferencial bi-direcional
- Auto Calibracao Interna: atraves do pino ZQ (RZQ: 240 ohm +/- 1%)
- Terminacao no Die usando o pino ODT
- Reset assincrono PCB: Altura 1.180 (30mm), com componentes de ambos os lados
Conteudo da Embalagem:
- Memoria RAM Para Notebook Kingston