Memória RAM Kingston 4GB, 2666MHz, DDR4, CL19 - KVR26N19S6/4
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Sobre o produto
Resumo gerado por IA- Upgrade de Performance: Melhore o desempenho geral do seu computador para uma experiência mais fluida.
- Velocidade Acelerada: Frequência de 2666MHz garante processamento rápido e eficiente das suas tarefas.
- Respostas Instantâneas: Com latência CL19, desfrute de um desempenho mais ágil e sem travamentos.
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- Velocidade Acelerada: Frequência de 2666MHz garante processamento rápido e eficiente das suas tarefas.
- Respostas Instantâneas: Com latência CL19, desfrute de um desempenho mais ágil e sem travamentos.
Informações Técnicas
Características:
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR26N19S6/4
Especificações:
- Capacidade: 4GB
- Frequência de operação: DDR4 2666Mhz
- 288-Pin DIMM
- CL (IDD): 19 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)
- Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)
- Potência Máxima de Operação – TBD W*
- Classificação UL 94 V - 0
- Temperatura de operação – 0oC a +85oC
- Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC
- A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM
- Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico
- VDDQ = 1,2V Típico
- VPP = 2.5V Típico
- VDDSPD = 2,2V a 3,6V
- Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara
- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração VREFDQ no DIE
- Single Rank
- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
- Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)
- BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)
- Topologia fly-by
- Comando de controle e barramento de endereços com terminação
- PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
- Em conformidade com RoHS e sem halogênios
Conteúdo da embalagem:
- Memória Kingston 4gb Ddr4 2666mhz Cl19 - Kvr26n19s6/4
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR26N19S6/4
Especificações:
- Capacidade: 4GB
- Frequência de operação: DDR4 2666Mhz
- 288-Pin DIMM
- CL (IDD): 19 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.)
- Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.)
- Potência Máxima de Operação – TBD W*
- Classificação UL 94 V - 0
- Temperatura de operação – 0oC a +85oC
- Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC
- A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM
- Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico
- VDDQ = 1,2V Típico
- VPP = 2.5V Típico
- VDDSPD = 2,2V a 3,6V
- Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara
- Auto-atualização de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração VREFDQ no DIE
- Single Rank
- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2
- 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada
- Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS)
- BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF)
- Topologia fly-by
- Comando de controle e barramento de endereços com terminação
- PCB: Altura 1,18” (30,00 mm)
- Em conformidade com RoHS e sem halogênios
Conteúdo da embalagem:
- Memória Kingston 4gb Ddr4 2666mhz Cl19 - Kvr26n19s6/4
Altura Real
0
Largura Real
0
Profundidade Real
0
Peso Real
0
Garantia do Fornecedor
12 Meses
Fabricante
Kingston
Modelo
KVR26N19S6/4-TW
Peso:
30 gramas (bruto com embalagem)
Descrição do produto
Memória RAM Kingston 4GB
A memória RAM Kingston KVR26N19S6/4 é a escolha perfeita para quem busca um upgrade de desempenho em seu computador. Com capacidade de 4GB e frequência de operação de 2666MHz, ela oferece alta velocidade e eficiência. Além disso, possui CL19, que garante uma latência mais baixa e um desempenho mais rápido.
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